报告时间：2026年7月14日（星期二）9:30-11:00
报告地点：科技楼225
报 告 人：任光辉 研究员
工作单位：澳大利亚皇家墨尔本理工大学（RMIT University）
举办单位：仪器科学与光电工程学院
报告简介：
光子集成电路（PIC）有望引领智能未来，英伟达在2025年3月发布的Spectrum-X Photonics共封装光学网络交换机就凸显了这一潜力。该产品旨在将AI工厂扩展至数百万个GPU，能节省3.5倍的能耗并将网络弹性提升10倍，硅光子PIC正是其核心使能技术。即便如此，硅光子PIC仍面临光波导传播损耗高和电光调制器功耗大等问题。与硅相比，氮化硅可将传播损耗降低100倍以上，但其电光系数较低，限制了调制器的性能。新兴的绝缘体上薄膜铌酸锂技术继承了成熟商用铌酸锂电光调制器的优势，兼具低传播损耗和高调制效率。然而，LNOI的高成本和制造挑战阻碍了其广泛应用。为突破这些局限，RMIT开发了一种氮化硅和薄膜铌酸锂的异质集成平台，通过选择性地将小片薄膜铌酸锂转移到预制好的氮化硅PIC上，既避免了对铌酸锂的直接刻蚀，又可以大幅降低成本。
报告人简介：
任光辉，澳大利亚皇家墨尔本理工大学（RMIT University）研究员，2016年博士毕业后留校任教。个人及团队长期从事混合集成光子学芯片的设计、制造以及应用。工作至今，已主持多项科研及产学研合作项目，累计获批经费超过500万元人民币；参与多项重大基础研究和科技成果转化项目，总经费超过2亿元人民币。其科研成果推动建立了澳大利亚首个集硅基光子芯片设计、制造与封装于一体的完整技术平台，并参与创办澳大利亚硅基光子学公司，面向国内外客户提供硅光芯片加工与技术服务，促进了相关技术的产业化应用。相关成果已发表于Nature Photonics, Nature Communications, Optica等光学期刊，谷歌学术被引超过5500次，h-index 37。
