报告时间：2026年7月31日（星期五）10:00-11:00
报告地点：科技楼225室
报 告 人：纪幸辰 长聘副教授
工作单位：上海交通大学
举办单位：仪器科学与光电工程学院
报告简介：
氮化硅作为硅基光子家族中的新兴平台，兼具超宽透明窗口、较高折射率及半导体大规模制造兼容性等优势，在非线性光学、窄线宽激光器、光通信及量子传感等领域取得重要进展。然而，超低损耗芯片的制备仍面临损耗极限的挑战。本报告重点讨论氮化硅器件的微纳加工关键步骤与光学表征手段（如谐振腔品质因子测量），分析推导当前器件损耗的物理极限。进而展示超低损耗芯片在窄线宽激光器等典型器件中的应用实例，并简介课题组在该方向的最新研究成果。
报告人简介：
纪幸辰，上海交通大学电子信息与电气工程学院长聘副教授、博士生导师。2021年国家“海外优青”、上海市领军青年人才（海外）、美国光学协会基金会挑战奖获得者（全球仅10人）、2023年上海科技青年35人引领计划获奖者，入选2023年全球前2%顶尖科学家年度科学影响力榜单。2018年获美国Cornell University博士学位，2018-2021年在美国Columbia University 从事博士后研究工作，2021年12月入职上海交通大学，长期从事集成光子和先进微纳制造方面的研究，目前在光学领域高影响力期刊和会议上发表论文100余篇，包括Nature、Science Advances、Laser & Photonics Reviews、Optica等，Google学术引用超过5400余次，单篇被引用近800次，5篇论文入选ESI高被引论文且h-index为34。在CLEO、OFC、POEM等国内外光学领域顶级会议多次做邀请报告。受邀担任IEEE Photonics Conference（IPC）、OECC等会议委员会委员和Nature Photonics, Nature Communications、Laser & Photonics Reviews、Photonics Research等数十个国际知名期刊的特约审稿人。
