报告时间：2023年6月7日（星期三）16:00-18:00

报告地点：学术会议中心一楼大报告厅

报 告 人：吴启明 博士

工作单位：合肥晶合集成电路股份有限公司

举办单位：材料科学与工程学院、化学与化工学院

报告简介：

介绍材料科学与工程在集成电路中的一些应用。由材料科学与工程本身专业课程最基本的专有名词出发，对应到集成电路流程的何种工艺。材料分析是另一块强调的重点，将材料分析对集成电路开发及运营上的贡献加以阐述。最后讲到材料选择，如何利用材料本身的特性，在不同的领域上发光发热。

报告人简介：

吴启明，晶合集成前瞻研发处长，台湾清华大学材料科学与工程博士学位。具有先进半导体年资24年。

主要专长：金属硅化物, 外延, 超浅接面, 新型内存。

现阶段负责开发28纳米以下的MOSFET前瞻技术模块，如高介电常数材料 （High-K material），多层金属闸极结构（Metal Gate），硅锗外延的源/汲极（SiGe Source/Drain），应力记忆技术 (Stress Memorization Technique) ，自对准金属硅化物 (Self-aligned Metal Silicide) ，铜金属内连线 (Cu interconnection) 与低介电常数（low-K material）的工艺模块开发。

研究荣誉：国际期刊与会议论文发表 10余篇，美国专利 80余篇，中国专利50余篇。