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徐跃杭: 柔性氮化镓射频功率器件

时间:2022-08-12来源:微电子学院

报告时间:2022年8月15日(星期一) 9:00-9:40

报告平台:腾讯会议  ID:448 560 260

:徐跃杭 教授

工作单位:电子科技大学

举办单位:微电子学院

报告简介

随着柔性电子技术的发展,面向可穿戴无线通信系统、共形雷达等应用的柔性射频电子器件几年来获得了关注。与硅、砷化镓、碳纳米管、石墨烯等半导体技术相比,氮化镓(GaN) 器件具有高频、高功率密度和高效率等优势,成为了柔性射频功率器件的重要选择。由于氮化镓器件生长需要温度较高,目前还无法实现在柔性衬底上生长GaN并制备射频器件,因此转移方法成为了目前柔性氮化镓器件的主流技术。然而由于存在转移过程易导致界面和材料损伤、柔性衬底热导率低导致散热困难等问题,导致目前柔性GaN射频功率器件的输出功率一直较低,限制了其在柔性电子领域的应用和发展。本报告将介绍本团队在柔性射频GaN器件制备、建模和电路设计方面的工作,并探讨柔性氮化镓射频器件在未来电子系统中的潜在应用。

报告人简介

徐跃杭,电子科技大学教授, 国家自然科学基金优秀青年基金获得者,IEEE高级会员。曾任Wiley旗下Microwave and Optical Technology Letters特刊客座编辑(2019年),现任International Journal Of Numerical Modelling-Electronic Networks Devices And Fields副编辑、《微电子与固体电子学研究与进展》等刊物编委。长期从事新型微波半导体器件建模、氮化镓集成电路和射频微系统研究,主持了国家自然科学基金、国家重大专项核心电子器件、军委科技委创新特区、军委科技委基础加强、装发预研、国家重点研发计划等10多项国家级课题。以第一作者或通讯作者在IEEE TMTT/MWCL、IEEE TED/EDL、APL、 ACS AMI等刊物上发表50余篇,授权国际专利/国家发明专利20余项,获得国防科技进步一等奖、国防科技进步二等奖和中国电子学会技术发明奖等省部级奖励3项,出版科学出版社专著《微波氮化镓功率器件等效电路建模理论与技术》、电子工业出版社编著教材《微波集成电路》等著作2部。

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